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      陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器的總稱。其品種繁多，如高壓陶瓷電容器、半導(dǎo)體陶瓷電容器、多層陶瓷電容器等等。它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀。廣泛用于電子電路中，用量十分可觀。
高壓陶瓷電容器
隨著電子工業(yè)的高速發(fā)展，迫切要求開(kāi)發(fā)擊穿電壓高、損耗小、體積小、可靠性高的高壓陶瓷電容器。近10多年來(lái)，國(guó)內(nèi)外研制成功的高壓陶瓷電容器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、磁帶錄像機(jī)、彩電、電子顯微鏡、復(fù)印機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、宇航、導(dǎo)彈、航海等方面。
鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點(diǎn)，但也有電容變化率隨介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻下降等缺點(diǎn)。
◆精選原料影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除陶瓷原料組成以外，優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件也是非常重要的。因此，對(duì)原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純?cè)蠒r(shí)，必須要注意原料的適用性。
◆熔塊制備熔塊制備的質(zhì)量對(duì)瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對(duì)后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會(huì)阻礙軋膜工藝的進(jìn)行；如合成溫度偏高，使熔塊過(guò)硬，會(huì)影響球磨效率；研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入，會(huì)降低粉料活性，導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。
◆成形工藝成形時(shí)要防止厚度方向壓力不均，坯體閉口氣孔過(guò)多，若有較大氣孔或?qū)恿旬a(chǎn)生，會(huì)影響瓷體的抗電強(qiáng)度。
◆燒成工藝應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度，采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。
◆包封包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對(duì)電容器的特性影響很大。因此，必須選擇抗潮性好，與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強(qiáng)度高的包封料。目前，大多選擇環(huán)氧樹(shù)脂，也有少數(shù)產(chǎn)品選用酚醛脂進(jìn)行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆，再用酚醛樹(shù)脂包封方法的，這對(duì)降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術(shù)。
半導(dǎo)體陶瓷電容器
表面層陶瓷電容器，電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量，這是電容器發(fā)展的趨向之一。對(duì)于分離電容器組件來(lái)說(shuō)，微小型化的基本途徑有2個(gè)：使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高；使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄。
在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高，但用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時(shí)，陶瓷介質(zhì)很難做得很薄。首先是由于鐵電陶瓷的強(qiáng)度低，較薄時(shí)易碎裂，難于進(jìn)行實(shí)際生產(chǎn)操作；其次，陶瓷介質(zhì)很薄時(shí)易造成各種組織缺陷，生產(chǎn)工藝難度很大。
多層陶瓷電容器
這是片式元件中應(yīng)用*廣泛的一類，它是將內(nèi)電極材料與陶瓷坯體以多層交替并聯(lián)疊合，并共燒成一個(gè)整體，又稱片式獨(dú)石電容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特點(diǎn)，可貼裝于印制電路板、混合集成電路基片，有效地縮小電子信息終端產(chǎn)品的體積和重量，提高產(chǎn)品可靠性。
順應(yīng)了IT產(chǎn)業(yè)小型化、輕量化、高性能、多功能的發(fā)展方向，國(guó)家曾在2010年目標(biāo)綱要中明確提出：將表面貼裝元器件等新型元器件作為電子工業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)。它不僅封裝簡(jiǎn)單、密封性好，而且還能有效地隔離異性電極。
MLCC在電子線路中可以起到存儲(chǔ)電荷、阻斷直流、濾波，區(qū)分不同頻率及使電路調(diào)諧等作用。在高頻開(kāi)關(guān)電源、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)電源和移動(dòng)通信設(shè)備中，可部分取代有機(jī)薄膜電容器和電解電容器，并大大提高高頻開(kāi)關(guān)電源的濾波性能和抗干擾性能。多層陶瓷電容器的3大趨勢(shì)：
◆小型化對(duì)于便攜式攝錄機(jī)、手機(jī)等袖珍型電子產(chǎn)品，需要更加小型化的MLCC產(chǎn)品。另一方面，由于精密印刷電極和疊層工藝的進(jìn)步，超小型MLCC產(chǎn)品也逐步面世和取得應(yīng)用。以矩形MLCC的發(fā)展為例，外形尺寸已經(jīng)從20世紀(jì)80年代前期的3216減小到現(xiàn)在的0603。國(guó)內(nèi)企業(yè)生產(chǎn)的MLCC主流產(chǎn)品是0603型，已突破了0402型MLCC大規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)難關(guān)。
◆低成本化傳統(tǒng)MLCC，由于采用昂貴的鈀電極或鈀銀合金電極，其制造成本的70％被電極材料占去。包括高壓MLCC在內(nèi)的新一代MLCC，采用了金屬材料鎳、銅作電極，大大降低了MLCC的成本。但是金屬內(nèi)電極MLCC需要在較低的氧分壓下燒結(jié)以保證電極材料的導(dǎo)電性，而過(guò)低的氧分壓會(huì)帶來(lái)介質(zhì)瓷料的半導(dǎo)化傾向，不利于元件的絕緣性和可靠性。
◆大容量、高頻化一方面，伴隨半導(dǎo)體器件低壓驅(qū)動(dòng)和低功耗化，集成電路的工作電壓已由5V降低到3V和1.5V；另一方面，電源小型化需要小型、大容量產(chǎn)品以替代體積大的鋁電解電容器。為了滿足這類低壓大容量MLCC的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用，在材料方面，已開(kāi)發(fā)出相對(duì)介電常數(shù)比BaTiO3高1～2倍的弛豫類高介材料。
在開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品過(guò)程中，同時(shí)發(fā)展了3種關(guān)鍵技術(shù)，即制取超薄生片粉料分散技術(shù)、改善生片成膜技術(shù)和內(nèi)電極與陶瓷生片收縮率相匹配技術(shù)。
通信產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展對(duì)元器件的頻率要求越來(lái)越高，在高頻段的某些應(yīng)用中可以替代薄膜電容器。而我國(guó)高頻、超高頻MLCC產(chǎn)品與國(guó)外相比仍有一定的差距，其主要原因是缺乏基礎(chǔ)原料及其配方的研發(fā)力度。
隨著技術(shù)不斷更新，現(xiàn)已不斷涌現(xiàn)出了低失真率和沖擊噪聲小的產(chǎn)品、高頻寬溫長(zhǎng)壽命產(chǎn)品、高安全性產(chǎn)品以及高可靠低成本產(chǎn)品。